长鑫存储宣布取得芯片技术突破 计划推出新型产品
中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）董事长曹康宇近日在上海一场行业会议上表示，公司计划于2026年底前推出面向数据中心服务器的新型存储芯片，采用4F²单元架构及垂直环绕栅极技术，旨在提高存储密度并降低漏电等问题。若相关技术达到预期水平，长鑫存储有望在该领域取得进展，但目前公开信息尚不足以独立验证其技术突破及量产能力。
分析人士指出，4F²架构从技术展示到实现良率可行的商业化生产仍面临挑战。Counterpoint Research数据显示，长鑫存储2026年第二季度在全球DRAM市场的份额升至10%，高于一年前的4%；不过，公司在用于人工智能加速器的高带宽存储器（HBM）领域仍落后于国际主要厂商。
来源：彭博社
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